VN-L5 MarkⅡ 160/80mデュアルバンド人柱版キットを組み立てる(3)

TX部の組み立て。ファイナルはN-ch MOS-FETを使ったPushPull E級スイッチング動作となっており、75%の効率で動作するとのこと。それでも10W出力だからなるべく放熱が良好となるように配慮したほうが良さそうと、プリント基板のパターンに密着、ハンダが全体にまわるように実装しました。

MTA100N10KRI3 というMOS-FETで秋月電子で25円/個で販売と安くしかも、RFで使う場合にネックとなるCiss(入力容量)が小さく使いやすいFETです。設計者のVNQさんはずいぶんと調べて選択されたことが伺えます。



コイル、RFトランス以外の実装が完了しました。



コイル、トランスの制作に入ります。




念のため、測定。計算上は4.2μHになるのですが実測4.6μHでした。同じ巻数のコイルをもう一つ作るのですが、そちらのほうは4.4μHとなりました。トロイダルコア材質のばらつきがあり、インダクタンスも一定とはならないようです。LPFなので、この程度の誤差は許容範囲です。



こちらはFT-37-43 フェライト系コアに巻いたもの。計算上は200μHとなるのですが、実測は332μHとなりました。フェライト系コアは、抵抗成分も多いのでDE-5000の測定誤差も出るのかもわかりません。RFCで使うので誤差があっても問題ありません。



TX部、全ての部品の取り付けが完了しました。



この状態でCRTL部と接続しファイナルFET Gate波形を測定、ちゃんと逆相になっているかチェックする指示があります。写真のとおり正常でした。これでOKなら、ジャンパー部をハンダ付けしてファイナル部へ電源供給する仕様となっています。

(つづく)