巨大な半導体

拾いもんです。

富士電機のインバータ用パワートランジスタモジュールで規格を調べたところ・・・

Vcbo=1200V, Vceo=1200V

Ic=300A, PC=2000W

でスイッチング特性はTon=3.0μS, Tf=2.0μSというものです。中身は、3段のダーリントン接続、そしてスナバ用ダイオード、ツェナーダイオードも内蔵されているようです。

こちらはIGBTモジュールで、同じく富士電機製です。規格は・・・

Vces=1400V, Vges=±20V

Ic=150A, PC=1100W　(x2ﾊﾟｯｹｰｼﾞ)

でスイッチング特性はTon=1.2μS, Toff=1.0μSというものです。中身は、2つが1つのパッケージに収めてあり、スナバ用ダイオードも内蔵されてます。

こういったスイッチング用電力素子に詳しくはありませんが、トランジスタからIGBTに変わってきているようですね。しかし、何に使おうかしら・・・・

※これぐらいの規格で、1000MHzぐらいまで働いたら真空管なんて完全に淘汰されてしまう !