巨大な半導体
拾いもんです。
富士電機のインバータ用パワートランジスタモジュールで規格を調べたところ・・・
Vcbo=1200V, Vceo=1200V
Ic=300A, PC=2000W
でスイッチング特性はTon=3.0μS, Tf=2.0μSというものです。中身は、3段のダーリントン接続、そしてスナバ用ダイオード、ツェナーダイオードも内蔵されているようです。
こちらはIGBTモジュールで、同じく富士電機製です。規格は・・・
Vces=1400V, Vges=±20V
Ic=150A, PC=1100W (x2ﾊﾟｯｹｰｼﾞ)
でスイッチング特性はTon=1.2μS, Toff=1.0μSというものです。中身は、2つが1つのパッケージに収めてあり、スナバ用ダイオードも内蔵されてます。
こういったスイッチング用電力素子に詳しくはありませんが、トランジスタからIGBTに変わってきているようですね。しかし、何に使おうかしら・・・・
※これぐらいの規格で、1000MHzぐらいまで働いたら真空管なんて完全に淘汰されてしまう !
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コメント
こんなん、何に使いましょうねぇ？
応用できるブツが思い浮かびません。
投稿: 居酒屋ガレージ店主（JH3DBO） | 2007年6月23日 (土) 05時49分
さすがに使いみちが無いですよね。スイッチング専用なんで、リニア領域では使えないと思うし。
#そういえば、電車関係の放出品に巨大なサイリスタがあったのを思い出した。いや、GTOだったかな。(GTOはIGBTに完全に淘汰されてしまったみたい。)
投稿: JF3DRI | 2007年6月23日 (土) 21時39分